GaN(83.73).暗灰色の固体.GaとNとを反応させて形成した半導体材料で,周期表13~15族半導体に分類される.エネルギーギャップは3.4 eV で,比誘電率9.5の直接遷移半導体である.エネルギーギャップが広いことから,ワイドギャップ系半導体ともいわれる.大きなイオン性をもつため,安定(α)相は六方晶系ウルツ鉱型構造をとり,準安定(β)相として立方晶系せん亜鉛鉱型構造をとる.青色発光素子材料として注目を集めている.窒化ガリウムは欠陥が多く,良好な結晶を得ることが難しいとされていたが,アルミナ(Al2O3)基板上に低温で窒化アルミ(AlN)層をエピタキシャル成長(エピタキシー)させ,その上に窒化ガリウムを成長させる技術の開発が突破口になり,大きく研究が進展してp型制御が可能となった.さらに中村修二らは,低温の窒化アルミのかわりに低温の窒化ガリウム層を用いることで良好な膜質の窒化ガリウムが得られることを報告し,高輝度の青色発光ダイオードが得られるようになった.[CAS 25617-97-4]
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
血液中の脂質(トリグリセリド、コレステロールなど)濃度が基準値の範囲内にない状態(脂質異常症)に対し用いられる薬剤。スタチン(HMG-CoA還元酵素阻害薬)、PCSK9阻害薬、MTP阻害薬、レジン(陰...
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