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シリコン・ゲルマニウム・トランジスタ しりこんげるまにうむとらんじすた silicon germanium transistor

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知恵蔵2015の解説

シリコン・ゲルマニウム・トランジスタ

シリコンにゲルマニウムを添加すると電子の動きが速くなり、動作が高速化されることを利用し、電流が流れるチャネル部にシリコンの代わりにシリコン・ゲルマニウムを使用したトランジスタ。製造時に歪みを入れると電子の動きがより速くなり、従来型のトランジスタに対して2倍以上高速化される。従来のシリコン・プロセスとの相性が良く、導入のコストが高くないので、バイポーラ・トランジスタとMOSトランジスタの両方に使われようとしている。高周波無線への応用などが考えられている。

(荒川泰彦 東京大学教授 / 桜井貴康 東京大学教授 / 2007年)

出典|(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵2015」
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