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バイポーラ・トランジスタ ばいぽーらとらんじすた bipolar transistor

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知恵蔵2015の解説

バイポーラ・トランジスタ

npnまたはpnp接合構造(エミッタベースコレクタ)を持つ半導体素子。ベースに流し込む電流(ベース電流)でエミッタ‐コレクタ間の電流(コレクタ電流)を制御することによって、電気信号の増幅とスイッチングの動作を行う。高速動作が可能で負荷を動かす能力が高い半面、消費電力が大きいことが難点。MOSトランジスタの場合ほど高度の集積化はできないが、高速性能やアナログ回路に適した特性を持つことが評価されて、集積回路の基本素子に使われる。なお、価電子帯の最低エネルギーと絶縁帯の最高エネルギーとの差、つまりバンドギャップが大きい半導体と小さい半導体とのヘテロ接合を、エミッタ‐ベース接合に使ったバイポーラトランジスタを、ヘテロ・バイポーラ・トランジスタと呼ぶ。

(荒川泰彦 東京大学教授 / 桜井貴康 東京大学教授 / 2007年)

出典|(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵2015」
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