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乾式エッチング かんしきエッチングdry etching

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

乾式エッチング
かんしきエッチング
dry etching

ドライエッチング。半導体デバイスの製作技術において半導体表面を除去する (エッチングという) 方法の一つ。従来おもに用いられてきた化学エッチングが液体の化学薬品を用いる湿式エッチングであるのに対し,化学薬品を用いない,プラズマエッチング plasma etching,イオンエッチング ion etching,スパッタエッチング sputter etchingを総称して乾式エッチングと呼ぶ。プラズマエッチングは化学的に活性なガスプラズマ (おもにフッ素化合物) と試料表面を化学反応させる方法。イオンエッチングではプラズマ室でつくられた不活性ガスイオン (おもにアルゴン) を電界で加速して試料表面に衝突させて表面原子をたたき出す。スパッタエッチングはイオンエッチングと原理は同じであるが,イオン形成と試料エッチングを同じ空間領域で行う。乾式エッチングは鮮明で微細なエッチングを特長とし,工程も簡略なため次第に利用範囲を広めている。

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