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分子線エピタキシー法 ぶんしせんエピタキシーほう

大辞林 第三版の解説

ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】

超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ、目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。 MBE 。

出典 三省堂大辞林 第三版について 情報

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