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MOCVD エムオーシーブイディーmetal organic chemical vapor deposition

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

MOCVD
エムオーシーブイディー
metal organic chemical vapor deposition

有機金属原料を用いた気相成長法で,GaAs (ガリウムヒ素) や AlGaAs (アルミニウムガリウムヒ素) などのエピタキシャル結晶を成長させる量産性に優れた方法 (→エピタキシャル技術 ) 。通常,Al (アルミニウム) ,Ga (ガリウム) ,In (インジウム) などの III族元素のアルキル化合物は常温で液体であり,キャリアガスによってバブリングさせ,反応チャンバに送る。V族の元素である As (ヒ素) ,P (リン) などは水素化物原料を利用する。比較的低温度で結晶成長が可能であり,不純物プロファイルを急峻にできる。異種基板へのヘテロエピタクシーが可能であり,ハロゲン化物を使う CVDと比べて基板や石英反応管のエッチングがない特長がある反面,成長層に炭素が混入するなどの問題がある。

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デジタル大辞泉の解説

エム‐オー‐シー‐ブイ‐ディー【MOCVD】[metal organic chemical vapor deposition]

metal organic chemical vapor deposition》⇒有機金属気相成長法

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