略称CVD法.気相成長法のうち,混合気体原料をキャリヤーとともに流し,反応によって基板上に単結晶を析出させる方法で,一種の気相エピタキシー成長法である.この方法によるシリコン単結晶層の成長が,ブレーナー型トランジスターやICなどの技術を可能にした.最近では,この方法によるGaAsなどの化合物半導体,さらにはフェライトなどの磁性体の単結晶層成長も行われている.
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
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