バイポーラ・トランジスタ（読み）ばいぽーらとらんじすた（英語表記）bipolar transistor

知恵蔵

バイポーラ・トランジスタ

npnまたはpnp接合構造(エミッタ‐ベース‐コレクタ)を持つ半導体素子。ベースに流し込む電流(ベース電流)でエミッタ‐コレクタ間の電流(コレクタ電流)を制御することによって、電気信号の増幅とスイッチングの動作を行う。高速動作が可能で負荷を動かす能力が高い半面、消費電力が大きいことが難点。MOSトランジスタの場合ほど高度の集積化はできないが、高速性能やアナログ回路に適した特性を持つことが評価されて、集積回路の基本素子に使われる。なお、価電子帯の最低エネルギーと絶縁帯の最高エネルギーとの差、つまりバンド・ギャップが大きい半導体と小さい半導体とのヘテロ接合を、エミッタ‐ベース接合に使ったバイポーラ・トランジスタを、ヘテロ・バイポーラ・トランジスタと呼ぶ。

(荒川泰彦 東京大学教授 ／ 桜井貴康 東京大学教授 ／ 2007年)

出典　(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵」