世界大百科事典（旧版）内の電子遷移デバイスの言及
【ガンダイオード】より
…この現象は1963年にガンJ.B.Gunnにより発見され，ガン効果と呼ばれる。発振の物理的機構はリドリーB.K.Ridley，ワトキンスT.B.Watkins，ヒルサムC.Hilsumにより予測されていたように，低エネルギーの有効質量の小さいエネルギー帯中の電子が，高エネルギーの有効質量の大きいエネルギー帯に遷移することによるので，電子遷移デバイスともいう。インパットダイオードよりも出力は小さい。…
※「電子遷移デバイス」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」