高電子移動度トランジスタ（読み）こうでんしいどうどとらんじすた（英語表記）high electron mobility transistor; HEMT

知恵蔵

高電子移動度トランジスタ

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出典　(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵」

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

高電子移動度トランジスタ
こうでんしいどうどトランジスタ
high electron mobility transistor; HEMT

異種半導体材料を接合させたとき，界面に高密度電子層が形成され，また，電子の走行が速くなることを利用したトランジスタ。 1980年に三村高志，冷水佐寿によって実現された。 HEMTの特長には，低雑音であること，高速応答性に優れていること，などがある。このため，衛星通信受信機用増幅器など，広帯域で低雑音が不可欠な装置へ採用されるなど，高速ロジック回路への適用も研究されている。

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