出典 内科学 第10版内科学 第10版について 情報
…しかしVLSIではこの技術でも不十分になってきており,酸化膜をほぼ完全に基板の中に埋め込む新しい技術が開発されている。(2)化学的膜形成chemical vapor deposition(略してCVD) 原料元素を含む気体化合物を特定の温度に保ったウェーハー周囲に流し,化学変化によってウェーハー上で微粒子状の固体物質を析出,沈着させ,堆積により膜を形成する方法である。通常はシランガスSiH4を原料とし,多結晶シリコン膜の場合には分解で,シリコン酸化膜の場合には酸素との反応で,またシリコン窒化膜の場合にはアンモニアガスとの反応により析出させる。…
…略称CVD。水溶液を使わないめっき法の一種で,気相物質間の化学反応で被処理材の表面に金属または化合物の皮膜を形成させる技術をいう。…
…しかしVLSIではこの技術でも不十分になってきており,酸化膜をほぼ完全に基板の中に埋め込む新しい技術が開発されている。(2)化学的膜形成chemical vapor deposition(略してCVD) 原料元素を含む気体化合物を特定の温度に保ったウェーハー周囲に流し,化学変化によってウェーハー上で微粒子状の固体物質を析出,沈着させ,堆積により膜を形成する方法である。通常はシランガスSiH4を原料とし,多結晶シリコン膜の場合には分解で,シリコン酸化膜の場合には酸素との反応で,またシリコン窒化膜の場合にはアンモニアガスとの反応により析出させる。…
※「CVD」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典|株式会社平凡社「世界大百科事典(旧版)」
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