世界大百科事典（旧版）内のトランジスタートランジスター論理回路の言及
【集積回路】より
…通常はICと略称され，〈二つ，またはそれ以上の回路素子のすべてが，一つの基板上または基板内に組み込まれている回路であり，設計から製造，試験，運用に至るまで各段階で一つの単位として取り扱われるもの〉と定義されている。ここで基板substrateというのは，トランジスターやICがその上に形成される単結晶素材で，通常は元素半導体であるシリコンが使用されるが，高性能ICに対しては，化合物半導体であるガリウムヒ素GaAsが使用される。…
※「トランジスタートランジスター論理回路」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」