不揮発性メモリ（読み）ふきはつせいメモリ（英語表記）nonvolatile memory

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

不揮発性メモリ
ふきはつせいメモリ
nonvolatile memory

記憶素子のうち，電源が切れても記憶データが消滅しない，いつでも読み出し・書き換え可能な半導体メモリ。これに対し電源が切れると記憶データが失われるものを揮発性メモリという。不揮発性メモリは理想の記憶素子であるが，高速性と信頼性を同時に実現するのが難しく，完全な実用化にはいたっていない。現在開発されているものは，電気的に書き込みまたは書き換えが可能なピーロム PROMと，電池バックアップのラムRAMである。PROMは書き換え速度が遅く，書き換えに高電圧を必要とするが，電池を必要としない。RAMは寿命が電池の容量により制限されるが，記憶データを高速に書き換えられる。ほかに，電子のスピンを使ったエレクトロニクス（スピントロニクス）で不揮発性メモリを実現しようとする試みもある。（→EPROM）

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