世界大百科事典（旧版）内のチャンネルドープの言及
【集積回路】より
…接続抵抗を下げるため熱処理を行い，チップに切断して容器に入れればICが完成する。 以上，きわめて簡略にC‐MOS ICの原理的な構造を説明したが，実際のICでは，MOS FET相互の干渉を避けるためにフィールド酸化膜の下側にイオン注入を行ったり(チャンネルストッパーという)，MOS FETの特性を改善するためゲート下側の基板表面にイオン注入をしたり(チャンネルドープという)する。また金属配線も最近では3層のものがある。…
※「チャンネルドープ」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」
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