世界大百科事典（旧版）内のSchottky barrierの言及
【集積回路】より
…トランジスターでプレーナー技術を開発したフェアチャイルド社は，直ちにICへの応用を開始し，以後両社はIC産業において先導的役割を果たしてきた。
［MOS ICの発達］
一方，半導体の表面物性に関する研究は長い歴史があり，1939年には，ショットキーW.Schottky(1886‐1976)の表面障壁の理論が出され，今日でもショットキーバリアSchottky barrierとしてLSIに利用されている。また，1935年にはヘイルO.Heilが現在のMOSトランジスター(MOSはmetal oxide semiconductorの略で，金属と半導体の間にケイ素酸化物などの薄い絶縁層をはさんで作ったトランジスター)の基本的特許を出願している。…
※「Schottky barrier」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」