世界大百科事典（旧版）内のmetaloxidesemiconductorの言及
【集積回路】より
…
［MOS ICの発達］
一方，半導体の表面物性に関する研究は長い歴史があり，1939年には，ショットキーW.Schottky(1886‐1976)の表面障壁の理論が出され，今日でもショットキーバリアSchottky barrierとしてLSIに利用されている。また，1935年にはヘイルO.Heilが現在のMOSトランジスター(MOSはmetal oxide semiconductorの略で，金属と半導体の間にケイ素酸化物などの薄い絶縁層をはさんで作ったトランジスター)の基本的特許を出願している。しかし，これが実用になるには，良好な表面状態を実現できる技術が確立されるまでの約30年間を必要としたのである。…
※「metaloxidesemiconductor」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」