世界大百科事典（旧版）内のmetaloxidesemiconductordiodeの言及
【MISダイオード】より
…半導体の表面に絶縁膜を形成し，そのうえに金属電極を付して構成されるダイオード(図1)。とくに重要なのは，シリコン基板上に二酸化シリコン膜を形成して作られるモスダイオードMOS diode(metal oxide semiconductor diodeの略)で，受動素子のダイオードとして使用されるよりも，MOS電界効果トランジスター(略称MOS FET)の構成要素として重要である。n型シリコンを用いてMOSダイオードを作成した場合，金属電極に正電圧を加えるとシリコン表面には電子が誘起されて蓄積層を形成するために，MOSダイオードのアドミタンスは二酸化シリコン膜をはさんだ平行平面コンデンサーとしてのキャパシタンスとなるが，金属電極に負電圧を加えるとシリコン表面は空乏化し，負電圧がさらに大きくなるとシリコン表面には反転層が形成されるので，キャパシタンスは小さくなり図2に示すようにキャパシタンスは電圧により変化する。…
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出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」