世界大百科事典（旧版）内のエピタキシャルウェーハーの言及
【結晶成長】より
…集積回路の素子の場合では，100mm径から150mm径の単結晶に育成したSiを0.6～0.8mm程度に切断後，研磨，鏡面研磨し0.5～0.6mmのウェーハーとして使用する。一部の種類の集積回路素子は，上記ウェーハー上に5～20μm厚のSiを気相でエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハーを使用する。電力用素子や小信号増幅用個別素子用は，76mm径から125mm径，厚さ0.4～0.6mm程度に加工したウェーハーが使用されている。…
※「エピタキシャルウェーハー」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」
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