世界大百科事典（旧版）内のスケールダウン則の言及
【集積回路】より
…MOS LSIの場合，集積度はほぼ4倍/3年のペースで上昇しており，また最小線幅は4年でほぼ1/2になっている。 MOS ICには，素子の幾何学的寸法を1/kにすると性能(1/速度電力積)がk3倍になるというスケールダウン則がある。これは集積度の増大と性能の向上とが矛盾しないということであり，小さいことはよいことなのである。…
※「スケールダウン則」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」
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