トランジスタートランジスター論理回路(読み)とらんじすたーとらんじすたーろんりかいろ

世界大百科事典(旧版)内のトランジスタートランジスター論理回路の言及

【集積回路】より

…通常はICと略称され,〈二つ,またはそれ以上の回路素子のすべてが,一つの基板上または基板内に組み込まれている回路であり,設計から製造,試験,運用に至るまで各段階で一つの単位として取り扱われるもの〉と定義されている。ここで基板substrateというのは,トランジスターやICがその上に形成される単結晶素材で,通常は元素半導体であるシリコンが使用されるが,高性能ICに対しては,化合物半導体であるガリウムヒ素GaAsが使用される。…

※「トランジスタートランジスター論理回路」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典|株式会社平凡社「世界大百科事典(旧版)」

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