エピタキシャル・プレーナ型ダイオード（読み）エピタキシャル・プレーナがたダイオード（その他表記）epitaxial planar diode

ブリタニカ国際大百科事典小項目事典の解説

エピタキシャル技術による結晶成長層に作製したダイオード。この技術により成長させた結晶層の表面には，通常，ウエハ作製時に生じる機械的損傷がない。またp-n接合界面を二酸化シリコン膜により保護できるため，メサ型にする必要はなく，その形状は平板状 (プレーナ) である。 (→メサ型ダイオード )

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