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高電子移動度トランジスタ こうでんしいどうどとらんじすた high electron mobility transistor

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知恵蔵2015の解説

高電子移動度トランジスタ

HEMT」のページをご覧ください。

出典|(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵2015」
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大辞林 第三版の解説

こうでんしいどうどトランジスタ【高電子移動度トランジスタ】

出典|三省堂
(C) Sanseido Co.,Ltd. 編者:松村明 編 発行者:株式会社 三省堂 ※ 書籍版『大辞林第三版』の図表・付録は収録させておりません。 ※ それぞれの用語は執筆時点での最新のもので、常に最新の内容であることを保証するものではありません。

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

高電子移動度トランジスタ
こうでんしいどうどトランジスタ
high electron mobility transistor; HEMT

異種半導体材料を接合させたとき,界面に高密度電子層が形成され,また,電子の走行が速くなることを利用したトランジスタ。 1980年に三村高志,冷水佐寿によって実現された。 HEMTの特長には,低雑音であること,高速応答性に優れていること,などがある。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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