ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典 の解説 高電子移動度トランジスタこうでんしいどうどトランジスタhigh electron mobility transistor; HEMT 異種半導体材料を接合させたとき,界面に高密度電子層が形成され,また,電子の走行が速くなることを利用したトランジスタ。 1980年に三村高志,冷水佐寿によって実現された。 HEMTの特長には,低雑音であること,高速応答性に優れていること,などがある。このため,衛星通信受信機用増幅器など,広帯域で低雑音が不可欠な装置へ採用されるなど,高速ロジック回路への適用も研究されている。 出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報