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高電子移動度トランジスタ(読み)こうでんしいどうどとらんじすた(英語表記)high electron mobility transistor

知恵蔵の解説

高電子移動度トランジスタ

HEMT」のページをご覧ください。

出典 (株)朝日新聞出版発行「知恵蔵」知恵蔵について 情報

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

高電子移動度トランジスタ
こうでんしいどうどトランジスタ
high electron mobility transistor; HEMT

異種半導体材料を接合させたとき,界面に高密度電子層が形成され,また,電子の走行が速くなることを利用したトランジスタ。 1980年に三村高志,冷水佐寿によって実現された。 HEMTの特長には,低雑音であること,高速応答性に優れていること,などがある。このため,衛星通信受信機用増幅器など,広帯域で低雑音が不可欠な装置へ採用されるなど,高速ロジック回路への適用も研究されている。

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