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エピタキシャル・プレーナ型トランジスタ エピタキシャル・プレーナがたトランジスタepitaxial planar transistor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

エピタキシャル・プレーナ型トランジスタ
エピタキシャル・プレーナがたトランジスタ
epitaxial planar transistor

低抵抗の半導体ウエハの表面上に 10~数十μmの均一な厚みの高抵抗の層をエピタキシャル技術で成長させ,この結晶成長層中にエミッタ接合,コレクタ接合を構成したプレーナ型トランジスタ。結晶成長層を用いないプレーナ型トランジスタに比べてコレクタ領域の直列抵抗が低いため,耐圧を高くしたままコレクタ飽和電圧を低くすることができ,特性が非常によくなる。現在,プレーナ型トランジスタの大部分がこの構造になりつつある。 (→三重拡散プレーナ型トランジスタ )

出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について | 情報

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