エピタキシャル・プレーナ型トランジスタ（読み）エピタキシャル・プレーナがたトランジスタ（その他表記）epitaxial planar transistor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

エピタキシャル・プレーナ型トランジスタ
エピタキシャル・プレーナがたトランジスタ
epitaxial planar transistor

低抵抗の半導体ウエハの表面上に 10～数十μmの均一な厚みの高抵抗の層をエピタキシャル技術で成長させ，この結晶成長層中にエミッタ接合，コレクタ接合を構成したプレーナ型トランジスタ。結晶成長層を用いないプレーナ型トランジスタに比べてコレクタ領域の直列抵抗が低いため，耐圧を高くしたままコレクタ飽和電圧を低くすることができ，特性が非常によくなる。現在，プレーナ型トランジスタの大部分がこの構造になりつつある。 (→三重拡散プレーナ型トランジスタ )

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