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ワイドバンドギャップ半導体 ワイドバンドギャップはんどうたいwide bandgap semiconductor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

ワイドバンドギャップ半導体
ワイドバンドギャップはんどうたい
wide bandgap semiconductor

半導体はそのエネルギーバンドギャップ (禁制帯幅) の大きさによって素子特性が特徴づけられる。半導体としてはエネルギーバンドギャップは約 5eV以下を指し,そのうち 2eV以上のものをワイドバンドギャップ半導体と呼ぶ。炭化ケイ素 (6H- SiC,3.0eV) ,リン化ガリウム (2.25eV) ,セレン化亜鉛 (2.58eV) などが代表例である。これらは,青色発光素子などの材料として使われる。

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