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歪(ひずみ)シリコン ひずみしりこん strained silicon

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知恵蔵2015の解説

歪(ひずみ)シリコン

現在のIC(集積回路)のほとんどは、シリコン結晶で作ったMOSトランジスタを基礎に作られている。このシリコン結晶に局所的な力を加え、結晶を歪ませるとMOSトランジスタの速度が速くなる。原理は以前からわかっていたが、最近になって実用的な製造方法が確立され、高速のプロセッサー製品などに応用され始めた。速度が30%以上速くなる例もあり、注目が集まっている。

(荒川泰彦 東京大学教授 / 桜井貴康 東京大学教授 / 2007年)

出典|(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵2015」
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