超LSI（読み）チョウエルエスアイ（その他表記）very large scale integration; VLSI

デジタル大辞泉

ちょう‐エルエスアイ〔テウ‐〕【超LSI】

《very large scale integration》⇒ブイ‐エル‐エス‐アイ（VLSI）

出典　小学館

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

超LSI
ちょうエルエスアイ
very large scale integration; VLSI

1つの半導体チップ (4～5mm四方の半導体片) 中に 10⁶ ビット以上の回路素子を形成した超大規模の集積回路をいう。大規模集積回路 LSIをさらに高密度化したもので，1977年に 64キロビット DRAM，84年に1メガビット DRAMおよび 256キロビット SRAMが日本で発表されたのが始り。密度を上げるために，個々の素子をより小さくつくる必要がある。このような高密度にするにはホト・リソグラフィーにおける線幅が1 μm 以下になり，通常の光 (波長 5000Å＝0.5μm ) を用いることができない。このため，X 線や電子線を用いてより微細な加工を施す必要がある。このような微細加工技術や超薄膜技術をはじめとして各関連分野の最先端技術を総合してはじめて超 LSIが実現可能となった。コンピュータの分野のみならず多方面に大きい影響を与えている。さらに，集積規模 256メガビット，1ギガビット程度の超々LSIの開発も進んでいる。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

化学辞典 第2版

超LSI
チョウエルエスアイ
very large scale integrated circuit

略称VLSI．[別用語参照]LSI

出典　森北出版「化学辞典（第2版）」

日本大百科全書(ニッポニカ)

超LSI
ちょうえるえすあい

→集積回路

出典　小学館　日本大百科全書(ニッポニカ)

世界大百科事典（旧版）内の超LSIの言及

【集積回路】より

…その後トランジスター数が10万個以上のものをVLSI(very large scale integrated circuit。超LSI)というようになり，それにともなってVLSI未満のものがLSIと呼ばれるようになった。しかしこの分類には厳密な定義があるわけではなく，10万ゲート以上のものを指すなど，さまざまである。…

※「超LSI」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」