超LSI（読み）ちょうエルエスアイ

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

超LSI
ちょうエルエスアイ
very large scale integration; VLSI

1つの半導体チップ (4～5mm四方の半導体片) 中に 10⁶ ビット以上の回路素子を形成した超大規模の集積回路をいう。大規模集積回路 LSIをさらに高密度化したもので，1977年に 64キロビット DRAM，84年に1メガビット DRAMおよび 256キロビット SRAMが日本で発表されたのが始り。密度を上げるために，個々の素子をより小さくつくる必要がある。このような高密度にするにはホト・リソグラフィーにおける線幅が1 μm 以下になり，通常の光 (波長 5000Å＝0.5μm ) を用いることができない。このため，X 線や電子線を用いてより微細な加工を施す必要がある。このような微細加工技術や超薄膜技術をはじめとして各関連分野の最先端技術を総合してはじめて超 LSIが実現可能となった。コンピュータの分野のみならず多方面に大きい影響を与えている。さらに，集積規模 256メガビット，1ギガビット程度の超々LSIの開発も進んでいる。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

日本大百科全書(ニッポニカ)

超LSI
ちょうえるえすあい

→集積回路

出典　小学館　日本大百科全書(ニッポニカ)