世界大百科事典（旧版）内のMOS 電界効果トランジスターの言及
【電界効果トランジスター】より
…FETともいう。接合ゲート電界効果トランジスター(図1)，ショットキーゲート電界効果トランジスター(図2)，MOS電界効果トランジスター(図3)がある。いずれもチャンネルといわれる電流通路の電気抵抗をゲートと呼ばれる電極に電圧を加えることにより制御し，電力利得を得ている。…
【トランジスター】より
…電界効果トランジスターは，アメリカのリニエンフェルドJ.E.Linienfeldにより1928年に特許が提出されているが，バイポーラートランジスターは，48年にバーディーンJ.BardeenおよびブラッテンW.Brattainにより点接触トランジスターの形で報告されたものが最初で，その後49年にはショックリーW.Shockleyによりp‐n接合およびp‐n接合を用いたトランジスターの理論が発表され，次いで成長接合トランジスターの試作が発表された。実用的な電界効果トランジスターとしては52年にショックリーによる接合ゲート電界効果トランジスターの理論が発表された後，まもなく試作が行われ，MOS電界効果トランジスターが出現したのは60年代の初期である。 バイポーラートランジスターは1個の半導体結晶中の導電型をn‐p‐nあるいはp‐n‐pの形に図1のようにしたもので，真ん中のp層またはn層の厚さが電子または正孔の拡散距離に比較して十分薄いことが重要である。…
※「MOS 電界効果トランジスター」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」