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電界効果トランジスター デンカイコウカトランジスター

百科事典マイペディアの解説

電界効果トランジスター【でんかいこうかトランジスター】

FETとも。ソース(正孔をたくわえる),ドレーン(正孔を流出する)の2極間に流れる電流を,それと直角方向に設けたゲートの電圧(逆バイアスする)によって制御する半導体素子。
→関連項目ゲート半導体集積回路

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世界大百科事典 第2版の解説

でんかいこうかトランジスター【電界効果トランジスター field effect transistor】

半導体中における電子の流れを,別の電極で制御する電圧制御形のトランジスターFETともいう。接合ゲート電界効果トランジスター(図1),ショットキーゲート電界効果トランジスター(図2),MOS電界効果トランジスター(図3)がある。いずれもチャンネルといわれる電流通路の電気抵抗をゲートと呼ばれる電極に電圧を加えることにより制御し,電力利得を得ている。チャンネルの端にあってチャンネルにキャリアを流入させる電極をソース,チャンネルからキャリアを流出させる電極をドレインという。

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世界大百科事典内の電界効果トランジスターの言及

【トランジスター】より

…半導体を用いた能動素子。バイポーラートランジスターと電界効果トランジスターがある。電界効果トランジスターは,アメリカのリニエンフェルドJ.E.Linienfeldにより1928年に特許が提出されているが,バイポーラートランジスターは,48年にバーディーンJ.BardeenおよびブラッテンW.Brattainにより点接触トランジスターの形で報告されたものが最初で,その後49年にはショックリーW.Shockleyによりp‐n接合およびp‐n接合を用いたトランジスターの理論が発表され,次いで成長接合トランジスターの試作が発表された。…

※「電界効果トランジスター」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

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