エンハンスメント型MOSトランジスタ(読み)エンハンスメントがたモストランジスタ(その他表記)enhancement type MOS transistor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典 の解説

エンハンスメント型MOSトランジスタ
エンハンスメントがたモストランジスタ
enhancement type MOS transistor

MOS電界効果トランジスタうちゲートバイアスが0の場合チャネルが存在せず,したがってドレイン電流が流れないものをいう。nチャネルの場合にはゲートに正バイアスを,pチャネルの場合には負バイアスを印加すると,ゲート直下に反転層が生じ,この部分がチャネルとなってドレイン電流が流れる。このようにゲートバイアスによってドレイン電流が増加する動作状態はエンハンスメント・モードと呼ばれる。 (→ディプレッション型 MOSトランジスタ )

出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報

政府首脳が外国を訪問した際の会談内容や合意事項を記した外交文書。法的拘束力は持たないが,その内容は両国を事実上拘束する。類似のものに共同発表 joint statementがあるが,これはより記録的な...

共同声明の用語解説を読む