ロバート・ヒースデナード(その他表記)Robert Heath Dennard

現代外国人名録2016 の解説

ロバート・ヒース デナード
Robert Heath Dennard

職業・肩書
電子工学者 IBMトーマス・J・ワトソン研究所・IBM名誉フェロー

国籍
米国

生年月日
1932年9月5日

出生地
テキサス州

別名
別名=デナード,ボブ〈Dennard,Bob〉

学歴
カーネギー工科大学(現・カーネギーメロン大学)(電気工学)〔1958年〕博士課程修了

学位
博士号(電気工学)〔1958年〕

受賞
米国国家技術賞〔1988年〕,米国発明家殿堂入り〔1997年〕,IEEEエジソンメダル〔2001年〕,C&C賞〔2006年〕,ベンジャミン・フランクリン・メダル〔2007年〕,チャールズ・スターク・ドレイパー賞〔2009年〕,IEEE栄誉賞〔2009年〕,京都賞(先端技術部門,第29回)〔2013年〕

経歴
1958年IBMスタッフエンジニアとなり、トーマス・J・ワトソン研究所研究員、グループマネジャーを経て、’82〜86年シリコンテクノロジー部門MOSデバイスおよび回路研究マネジャー。’79年より同研究所IBMフェロー。この間、’67年にメモリ用集積回路として広く使われている半導体ダイナミックメモリ(DRAM)の基本構造を発明し、デジタル情報記憶容量や処理能力を格段に高め、情報・通信技術の飛躍的発展を可能にした。さらにトランジスタ微細化のための設計指針である“スケーリング則”を’74年に発表、集積回路の飛躍的な高密度化に大きく貢献した。

出典 日外アソシエーツ「現代外国人名録2016」現代外国人名録2016について 情報

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