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エンハンスメント型MOSトランジスタ エンハンスメントがたモストランジスタenhancement type MOS transistor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

エンハンスメント型MOSトランジスタ
エンハンスメントがたモストランジスタ
enhancement type MOS transistor

MOS電界効果トランジスタのうち,ゲートバイアスが0の場合チャネルが存在せず,したがってドレイン電流が流れないものをいう。nチャネルの場合にはゲートに正バイアスを,pチャネルの場合には負バイアスを印加すると,ゲート直下に反転層が生じ,この部分がチャネルとなってドレイン電流が流れる。このようにゲートバイアスによってドレイン電流が増加する動作状態はエンハンスメント・モードと呼ばれる。 (→ディプレッション型 MOSトランジスタ )

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