世界大百科事典（旧版）内のシリコン MOS 電界効果トランジスターの言及
【電界効果トランジスター】より
…図1，図2の素子ではそれぞれの空間電荷層の厚さのバイアス依存性を利用してチャンネルの形状を変え，図3の素子では主として表面反転層中のキャリア密度を変えることによりチャンネルの抵抗率を変化させている。 シリコンMOS電界効果トランジスターは大規模集積回路，とくにメモリー集積回路に多く使用され，GaAsショットキーゲート電界効果トランジスターはマイクロ波増幅，発振用および超高速ディジタル集積回路用に使用されている。トランジスター【菅野 卓雄】。…
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出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」