バイポーラートランジスター（その他表記）bipolar transistor

デジタル大辞泉

バイポーラー‐トランジスター（bipolar transistor）

電荷を運ぶ担体として、正孔と電子を用いるトランジスター。p型半導体とn型半導体を、PNPまたはNPNの順序で接合する。双極性トランジスター。

出典　小学館

世界大百科事典（旧版）内のバイポーラートランジスターの言及

【記憶装置】より

…
[半導体メモリー]
　半導体メモリーとはIC(集積回路の略)を使った記憶装置またはそれを構成するICのことをいう。半導体メモリー用の素子として，1990年頃までは高速性が要求される用途ではバイポーラートランジスターが使われたが，MOSトランジスターが高速になったため，現在では高集積化が容易で消費電力が少ないMOSトランジスターがほとんどの用途に使われている。　半導体メモリーは素子の種類によってSRAM(スタティックRAM，エスラム)，DRAM(ダイナミックRAM，ディーラム)などに分類される。…

【増幅器】より

…電気信号の電圧，電流などを大きくするための装置。アンプともいう。放送局から送られる電波は，ラジオでもテレビジョンでも，家庭のアンテナで受信したとき，きわめて微弱なものである。これをスピーカーやブラウン管からの音声や映像として楽しむためには増幅作用が必要である。デ･フォレストはプレートとフィラメントの間にグリッドを入れた三極真空管を発明し，アメリカのゼネラル･エレクトリックの研究所でグリッドを負電位，プレートを正電位にすると，わずかなグリッド電位の変化でプレート電位を大きく変化できることが見いだした。…

【トランジスター】より

…半導体を用いた能動素子。バイポーラートランジスターと電界効果トランジスターがある。電界効果トランジスターは，アメリカのリニエンフェルドJ.E.Linienfeldにより1928年に特許が提出されているが，バイポーラートランジスターは，48年にバーディーンJ.BardeenおよびブラッテンW.Brattainにより点接触トランジスターの形で報告されたものが最初で，その後49年にはショックリーW.Shockleyによりp‐n接合およびp‐n接合を用いたトランジスターの理論が発表され，次いで成長接合トランジスターの試作が発表された。…

※「バイポーラートランジスター」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」