合金接合型ダイオード（読み）ごうきんせつごうがたダイオード（英語表記）alloy junction diode

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

合金接合型ダイオード
ごうきんせつごうがたダイオード
alloy junction diode

合金法によってp-n接合を形成したダイオード。通常材料としてはゲルマニウム Geが用いられる。たとえばn型の Ge単結晶上にp型不純物となるインジウム Inなどの小片を載せ不活性雰囲気中で温度を上昇させて Inを溶かすと，溶けた Inに Geが溶解する。そのあと急冷して Inに溶けた Geを再結晶化させると，再結晶化した部分はアクセプタ不純物である Inが高濃度に添加されるのでp型となりp-n接合が形成される。このように急冷による再結晶化によってp-n接合が形成されるため，In原子の拡散はあまり生じないので，急峻に不純物濃度が変化した階段型p-n接合が比較的簡単な工程で製作できることが特徴である。大電力用ダイオードとして用いられるほかエサキダイオードやツェナーダイオードなども多くの場合この方法によって製作される。

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