SOI技術（読み）SOIぎじゅつ/えすおーあいぎじゅつ（英語表記）silicon on insulator technology

知恵蔵

SOI技術

絶縁膜の上にシリコン結晶薄膜を形成し、そのシリコン結晶上にMOSトランジスタを作製する技術。トランジスタ電極の静電容量を減らすことができるので、高速化、低消費電力化に有利。シリコン・ウエハの表面から酸素イオンを打ち込み、表面から1μm(マイクロメートル)下に酸化膜を形成するSIMOX(サイモックス)構造や表面を酸化したウエハを貼り合わせたボンデッド・ウエハが開発されている。IBMが1999年、SOIを使ったマイクロプロセッサーの開発に成功、処理スピードを従来の技術に比べ30%程度向上させたことから一躍注目を集めた。今後、ゲーム機やサーバー・コンピューターなど高性能機器への搭載が考えられている。

(荒川泰彦 東京大学教授 ／ 桜井貴康 東京大学教授 ／ 2007年)

出典　(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵」