日本大百科全書(ニッポニカ) 「MOSトランジスタ」の意味・わかりやすい解説
MOSトランジスタ
もすとらんじすた
電界効果トランジスタの一種。陰極に相当するソースと陽極に相当するドレイン間の電流通路（チャネル）の電気伝導が、チャネル上の酸化膜を介して接触した第三電極（ゲート）の電圧によって制御されるもの。ゲート部分が金属metal―酸化膜oxide―半導体semiconductorの3層からなり、そのイニシアルをとってMOSトランジスタとよばれる。典型的な構造は、p形シリコン（ケイ素）基板の表面近くに二つのn形層をつくってソース、ドレインとし、その間にある基板表面の酸化膜上に電極をつくってゲートとする。ゲートに正の電圧を加えると、正孔はゲートより遠くに追いやられ、最初は電流は流れないが、さらにゲートの電圧を、ある電圧（これを閾値(しきいち)電圧とよぶ）以上にあげると、半導体内の電子がチャネルに集まってきて、電流が流れるようになり、電圧を上げるほど電流が増加する。このように、ゲート電圧の状態によってチャネルの電流が変わるので、増幅作用が得られる。チャネルの電流が電子によるものをnチャネル形、正孔によるものをpチャネル形とよぶ。MOSトランジスタはMOS・IC（集積回路）の構成要素として広く用いられるが、高耐圧、高出力、高周波などに対する単体トランジスタとしての用途も広い。また、ゲートを絶縁膜中に埋め込み、これに電荷を注入できる構造にしたものは、電気的に書き換えができる不揮発性メモリー（電気を切っても記憶が維持される）として知られ、ROM(ロム)（read only memoryの略称）の一種として使われる。
［右高正俊］
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