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プレーナ技術(読み)プレーナぎじゅつ(英語表記)planar technique

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

プレーナ技術
プレーナぎじゅつ
planar technique

集積回路製造の主要技術。シリコン基板上に選択的に異種導電タイプの領域を不純物拡散法により形成し,その拡散に用いたシリコン酸化膜マスクをそのまま残し,その上に配線などを形成することを特徴とする。こうすることで,pn接合の表面がシリコン酸化膜で被覆されるので,電気的特性が安定する上,パターンの微細化が可能となる。この技術を用いて,シリコン酸化膜を形成し,ベース領域,エミッタ領域を逐次不純物拡散により形成したトランジスタをプレーナトランジスタと呼び,バイポーラ型 LSIの一つの基本型になっている。プレーナ技術の基本特許は,フェアチャイルド社の A.ノイスによって 1959年に出願された。また,プレーナトランジスタは同じフェアチャイルド社の J. A.ホーニによって発明された。

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