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接合型電界効果トランジスタ せつごうがたでんかいこうかトランジスタ junction field-effect transistor

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

接合型電界効果トランジスタ
せつごうがたでんかいこうかトランジスタ
junction field-effect transistor

p-n接合あるいはショットキー接合の空乏層を利用してチャネルの伝導度を変化させて増幅作用を得る型の電界効果トランジスタ。 JFETとも呼ばれるp-n接合を利用するものは,1952年 W.ショクリーによって提案され,プレーナ技術を用いたシリコン素子が 62年に発表された。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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