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空乏層 くうぼうそうdepletion layer

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

空乏層
くうぼうそう
depletion layer

p型半導体とn型半導体を接触させるとp-n接合となるが,接合に際して界面付近の電子と正孔は再結合により失われ,あとにイオン化したドナーとアクセプタが残る。この領域には電子と正孔がほとんど存在しないため空乏層と呼ばれる。またこの層はp型よりn型への遷移が起る領域であるため遷移領域 transition regionとも呼ばれ,イオン化ドナー,イオン化アクセプタの電荷が空間に現れている領域であるため空間電荷領域や空間電荷層とも呼ばれる。金属と半導体の接触 (ショットキー接触) においても接触界面の半導体側に空乏層ができる。

出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について | 情報

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