点接触型トランジスタ（読み）てんせっしょくがたトランジスタ（英語表記）point contact transistor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

点接触型トランジスタ
てんせっしょくがたトランジスタ
point contact transistor

半導体単結晶の表面にきわめて近接して (100μm以下) 2本の細い金属針を立てた構造のトランジスタ。金属針の一方がエミッタ，他方がコレクタ，ゲルマニウムを載せた電極がベースである。エミッタとベース間に順方向バイアス (エミッタ側に正電圧) ，コレクタとベース間に逆方向バイアス (コレクタ側に負電圧) が加えられる。エミッタ電流の変化が2～3倍に増幅されてコレクタ電流の変化となる。n型ゲルマニウムを用いた点接触型トランジスタは，1948年に W.ショクリー，W.ブラッティン，J.バーディーンが初めてトランジスタを発明したときに用いた構造であるが，機械的，電気的に不安定で雑音も多いため，その後実用的な接合型トランジスタが開発されると，その動作原理もよくわからないままほとんどかえりみられなくなった。

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