改訂新版 世界大百科事典 「MISダイオード」の意味・わかりやすい解説
MISダイオード (ミスダイオード)
MIS diode
metal insulater semiconductor diodeの略。半導体の表面に絶縁膜を形成し，そのうえに金属電極を付して構成されるダイオード。とくに重要なのは，シリコン基板上に二酸化シリコン膜を形成して作られるモスダイオードMOS diode（metal oxide semiconductor diodeの略）で，受動素子のダイオードとして使用されるよりも，MOS電界効果トランジスター（略称MOS FET）の構成要素として重要である。n型シリコンを用いてMOSダイオードを作成した場合，金属電極に正電圧を加えるとシリコン表面には電子が誘起されて蓄積層を形成するために，MOSダイオードのアドミタンスは二酸化シリコン膜をはさんだ平行平面コンデンサーとしてのキャパシタンスとなるが，金属電極に負電圧を加えるとシリコン表面は空乏化し，負電圧がさらに大きくなるとシリコン表面には反転層が形成されるので，キャパシタンスは小さくなり図2に示すようにキャパシタンスは電圧により変化する。したがって可変容量ダイオードとして使用されることもあるが，このキャパシタンスの電圧依存性から，シリコン基板と二酸化シリコン膜の界面でのキャリアの捕獲中心の状態密度分布を測定することができるので，評価用試料として使用されることが多い。
執筆者：菅野 卓雄
出典 株式会社平凡社「改訂新版 世界大百科事典」改訂新版 世界大百科事典について 情報