SOG法（読み）エスオージーホウ

化学辞典 第2版

SOG法
エスオージーホウ
spin on glass method

スピンオングラス法ともいう．低温でSiO₂などの絶縁膜や金属薄膜を形成する方法．SiO₂膜形成では，テトラオルトシリケートまたはTEOS(テオス；テトラエトキシシランの略称)とよばれる原料を加水分解，重縮合することにより鎖状になり，分子量が増え粘性をあげたシロキサンをつくる．そしてこれを基板上へ垂らし，高速で回転して基板上へ広げて薄膜を形成する．400～450 ℃ 程度の加熱処理を行い，ガラス化を起こさせ安定な膜とする．シロキサンに不純物を混入させたSiO₂をシリコン基板表面に形成して，これを1000 ℃ 程度の高温に保持して，不純物の拡散源として使用することも多い．また，合成のための原料をTEOSからほかのものにかえることで，SiN膜なども形成できる．最近は，テンプレートとよばれる絶縁膜の骨格を形成する原料に，絶縁膜の骨格が熱処理により固まりはじめる温度よりも少し低い200 ℃ 程度で蒸発する液を混入させ，多孔質低誘電率層間絶縁膜を形成する方法として注目されている．

出典　森北出版「化学辞典（第2版）」