ガリウムヒ素集積回路（読み）ガリウムヒそしゅうせきかいろ（その他表記）GaAs-integrated circuit

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

ガリウムヒ素集積回路
ガリウムヒそしゅうせきかいろ
GaAs-integrated circuit

GaAs (ガリウムヒ素) を基本材料とする集積回路 (IC) 。 Si (ケイ素) ICに比べ高速動作特性に優れ，光素子との集積化が容易であるなどの特長を持つ。高速計算機用のデジタル IC，マイクロ波・ミリ波増幅用の MMIC，電子回路と光素子を混載した OEICに代表される。 GaAsICの優れた特長は結晶の物性に由来している。すなわち，(1) 移動度が Siの5～6倍で，電子の最大ドリフト速度も Siの2～3倍である。 (2) 禁制帯幅が大きく，半絶縁性結晶が存在する。 (3) Siと異なり直接遷移形半導体であるので，高効率の発光素子を製作できる。また，(4) ヘテロ接合が容易にできるので，素子設計の自由度が大きい。一方，Siに比べ熱的安定性に欠け，二酸化ケイ素のような安定な熱酸化膜がないので，製作プロセスが複雑になるという欠点を持つ。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典