超高速素子（読み）ちょうこうそくそし（その他表記）high-speed device

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

超高速素子
ちょうこうそくそし
high-speed device

高速で動作する電子素子の総称。超高速スイッチング (遅延時間で数十ピコ秒以下) が可能な素子を超高速素子と呼び，これに対して超高周波 (数十 GHz以上) の発振・増幅が可能な素子を超高周波素子と呼んで区別することが多いが，いずれも大まかな定義である。主要な超高速素子には次のような種類がある。 (1) シリコントランジスタ:バイポーラ型と MOS型がある。前者が高速で，現在 10～20ピコ秒のスイッチング動作が可能となっている。 MOS型は動作が少し遅いが，高集積化に適する。 (2) 化合物半導体トランジスタ:これには，ショットキーゲート型電界効果トランジスタ (MESFET) ，ヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) ，量子的な2次元電子チャンネルを用いた高移動度電界効果トランジスタ (HEMT) がある。使われる半導体は GaAs，GaAs-AlAs混晶，GaAs-InP混晶などである。いずれの素子も5～10ピコ秒のスイッチング動作が可能である。 (3) ジョセフソン素子:2つの超伝導体間のトンネル効果を利用したもので，2～5ピコ秒のスイッチングが可能である。ニオブなどの金属材料が使われる。動作には極低温を要する。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典