ガリウムヒ素FET（読み）ガリウムヒそエフイーティー（その他表記）gallium arsenide field-effect transistor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

ガリウムヒ素FET
ガリウムヒそエフイーティー
gallium arsenide field-effect transistor

半導体材料としてガリウムヒ素 (ヒ化ガリウム ) を用いた電界効果トランジスタ FETである。通常，高周波動作用に入力容量を小くするため，ゲートは金属蒸着などによるショットキー障壁で形成されるので MES(metal semiconductor)FETとも呼ばれる。ゲルマニウム FETやシリコン FETに比べて，禁制帯の幅が広く，高温に耐え，出力電圧が高い。また電子移動度がシリコンに比較して5～6倍と高く，このため，最高 80～100GHzの超高周波帯で低雑音の素子として使用することができる。

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