バイポーラトランジスタ（読み）ばいぽーらとらんじすた（その他表記）bipolar transistor

日本大百科全書(ニッポニカ)

バイポーラトランジスタ
ばいぽーらとらんじすた
bipolar transistor

電子（負電荷）および正孔（正電荷）の2種類のキャリア（電荷担体）が同時に作用するトランジスタをいう。電界効果トランジスタが1種類のキャリアを使っているので、ユニポーラトランジスタとよばれるのに対応する。このトランジスタは二つのpn接合による三つの半導体領域からなり、pnp形とnpn形とがある。三つの領域の中間がベース、両側の領域の一方がエミッタ、他方がコレクタとなる。エミッタpn接合を順方向となるように、コレクタpn接合を逆方向になるように電圧を加えると、エミッタからベースに少数キャリアが注入され、それがベース領域を通過してコレクタに達して増幅作用が得られる。このトランジスタは単体として小信号から高出力、低周波から高周波へとあらゆる分野で使われるほか、バイポーラIC（双極性集積回路）の主要素として広く利用されている。

［右高正俊］

出典　小学館　日本大百科全書(ニッポニカ)

知恵蔵

バイポーラ・トランジスタ

npnまたはpnp接合構造(エミッタ‐ベース‐コレクタ)を持つ半導体素子。ベースに流し込む電流(ベース電流)でエミッタ‐コレクタ間の電流(コレクタ電流)を制御することによって、電気信号の増幅とスイッチングの動作を行う。高速動作が可能で負荷を動かす能力が高い半面、消費電力が大きいことが難点。MOSトランジスタの場合ほど高度の集積化はできないが、高速性能やアナログ回路に適した特性を持つことが評価されて、集積回路の基本素子に使われる。なお、価電子帯の最低エネルギーと絶縁帯の最高エネルギーとの差、つまりバンド・ギャップが大きい半導体と小さい半導体とのヘテロ接合を、エミッタ‐ベース接合に使ったバイポーラ・トランジスタを、ヘテロ・バイポーラ・トランジスタと呼ぶ。

(荒川泰彦 東京大学教授 ／ 桜井貴康 東京大学教授 ／ 2007年)

出典　(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵」

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

バイポーラトランジスタ

「双極型トランジスタ」のページをご覧ください。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典