引上げ法（読み）ひきあげほう（その他表記）pulling method

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

引上げ法
ひきあげほう
pulling method

単結晶製作法の一つで，多結晶原料をるつぼの中で溶かしてその中に種結晶を浸し，回転しながら引上げて種結晶と同じ結晶方位をもつ単結晶をつくる方法。シリコン，ゲルマニウムなどの半導体のほか，岩塩 NaCl などのイオン結晶，ニオブ酸リチウム LiNbO₃ などの酸化物にも適用できる。加熱方式は高周波誘導法，または抵抗加熱法を用い，雰囲気はアルゴンなどの不活性ガス，酸素 O₂ ，真空など引上げる結晶の種類に応じて変える。回転速度は毎分数回ないし 100回，引上げ速度は毎分数 mm以下である。結晶が容器の壁に接触しないのでひずみを受けることが少く，良質の単結晶が得られる。成長開始時に細く絞って転位を結晶表面へ抜き出させるので無転位の大きな単結晶が製作できる。不純物の偏析や温度変動などのため成長方向や半径方向に不純物分布の不均一が存在する欠点がある。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典