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気相成長 きそうせいちょうvapour phase growth

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

気相成長
きそうせいちょう
vapour phase growth

気相 (ガス状態) から固体を析出させて成長させること。蒸着法,分子線エピタクシー法,昇華法のような物理的な方法と,熱分解,化学的気相析出法 (CVD法) のような化学的な方法など種類は非常に多い。通常,基板の上に薄膜を成長させるのに広く用いられている方法である。成長層は単結晶の場合もあれば多結晶や非晶質の場合もあるが,基板に成長層と同種の結晶を用いると基板と同じ方向の結晶軸をもった単結晶が得られる。これを気相エピタキシャル成長という。この気相エピタキシャル成長ではゲルマニウム Geやシリコン Siのような元素半導体や,ヒ化ガリウム GaAs,リン化ガリウム GaPのような化合物半導体などの良質な薄膜単結晶が基板上に得られる。結晶の融点や沸点より低温で生成できるため,高純度,低欠陥密度のものが得られる。また成長中の不純物ガスの種類を簡単に変えることができるため,不純物分布の急峻な変化をもつ成長層を得る利点があり,広い面積をもった多数の基板上に同時に成長できるため生産性のある成長方法でもある。

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