磁気バブルメモリ
じきバブルメモリ
magnetic bubble memory
薄膜磁性材料中に存在する円筒磁区を利用して記憶作用を行なわせる素子。一軸方向に磁化容易軸を持つ磁性単結晶を用いて，この容易軸と垂直な面を持つ薄層を作り，容易軸と平行方向に外部磁界を加える。そのとき，磁性単結晶層の磁気的な物理定数と外部磁界の強さが適切な値であれば，磁性単結晶層には容易軸方向を向いた円筒磁区が現れる。この円筒磁区 (バブルドメインと呼ばれる) を外部信号に従って転送し，所定の場所に存在させるか否かでメモリ動作を行なわせることができる。メモリ構成方式はシーケンシャル形となる。磁性単結晶材料としてはイットリウム希土類ガーネットがよく使われる。円筒磁区の転送には，磁性単結晶膜面に形成したパーマロイのパターン膜を使う。すなわち，適当な位置にパーマロイパターンを配置し，これに面内の回転磁界を印加してパーマロイパターンに沿って円筒磁区を伝搬させる。磁気バブルメモリは，当初，コンピュータの大容量メインメモリを目指して開発が進められた。しかし，読み出し・書込み速度が半導体 RAMよりも遅いので，現在はほとんど使われていない。
出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報
